吸收設備

　　吸收法采用低揮發或不揮發性溶劑對VOCs進行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質的差異進行分離。

　　含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后，進入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應的工藝調整。

　　吸附設備

　　在用多孔性固體物質處理流體混合物時，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現象稱為吸附。吸附處理廢氣時，吸附的對象是氣態污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質，多孔固體物質稱為吸附劑。

　　固體表面吸附了吸附質后，一部被吸附的吸附質可從吸附劑表面脫離，此現附。而當吸附進行一段時間后，由于表面吸附質的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質脫附，以協的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環過程，達到除去廢氣中污染物質并回收廢氣中有用組分。

　　凈化設備

　　燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質燃燒，大多數生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理。

　　治理設備

　　等離子體就是處于電離狀態的氣體，其英文名稱是plasma，它是由美國科學 muir，于1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現象時命名的。等離子體由大量的子、中性原子、激發態原子、光子和自由基等組成，但電子和正離子的電荷數必須體表現出電中性，這就是“等離子體”的含義。等離子體具有導電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根據狀態、溫度和離子密度，等離子體通常可以分為高溫等離子體和低溫等離子體(包子體和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學平衡狀態，它主要應用在受控熱核反應研究方面。而低溫等離子體則學非平衡狀態，各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300——500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。